-
1 ток неосновных носителей
Большой англо-русский и русско-английский словарь > ток неосновных носителей
-
2 ток неосновных носителей
Англо-русский словарь технических терминов > ток неосновных носителей
-
3 minority current
Большой англо-русский и русско-английский словарь > minority current
-
4 minority-carrier current
Большой англо-русский и русско-английский словарь > minority-carrier current
-
5 minority(-carrier) current
Англо-русский словарь технических терминов > minority(-carrier) current
-
6 minority(-carrier) current
Англо-русский словарь технических терминов > minority(-carrier) current
-
7 minority current
-
8 minority-carrier current
English-russian dictionary of physics > minority-carrier current
-
9 minority current
English-Russian dictionary of microelectronics > minority current
-
10 minority current
English-Russian dictionary of electronics > minority current
-
11 minority-carrier current
English-Russian dictionary of electronics > minority-carrier current
-
12 majority current
1) Техника: ток основных носителей2) Микроэлектроника: ток неосновных носителей -
13 minority current
Техника: ток неосновных носителей -
14 minority-carrier current
Техника: ток неосновных носителейУниверсальный англо-русский словарь > minority-carrier current
-
15 minority current
= minority-carrier current ток неосновных носителей -
16 minority current
= minority-carrier current ток неосновных носителейThe New English-Russian Dictionary of Radio-electronics > minority current
-
17 minority current
-
18 полевой транзистор
(Field Effect Transistor)Полевой транзистор (ПТ)Полупроводниковый прибор, в котором ток основных носителей, протекающих через канал, управляется электрическим полем. Основа такого транзистора - созданный в полупроводнике и снабжённый двумя выводами (исток и сток) канал с электропроводностью n - или p - типа. Сопротивлением канала управляет третий электрод - затвор, соединённый с его средней частью p - n переходом. В связи с тем, что управление током в выходной цепи осуществляется входным напряжением (аналогично электровакуумным приборам) и входные токи ПТ чрезвычайно малы, параметры и характеристики полевых транзисторов существенно отличаются от характеристик биполярных транзисторов. ПТ обладают рядом преимуществ по сравнению с биполярными: высокое входное сопротивление по постоянному току и на высокой частоте, отсюда и малые потери на управление; высокое быстродействие (благодаря отсутствию накопления и рассасывания неосновных носителей); почти полная электрическая развязка входных и выходных цепей, малая проходная ёмкость (т.к. усилительные свойства ПТ обусловлены переносом основных носителей заряда, верхняя граница эффективного усиления мощных ПТ выше, чем у биполярных, и применение ключевых усилителей на ПТ при тех же напряжениях питания возможно на частотах около 400 мГц, в то время как на биполярных транзисторах разработка ключевых генераторов частотой выше 100 мГц является весьма сложной задачей); квадратичность вольтамперной характеристики (аналогична триоду); высокая температурная стабильность; малый уровень шумов.
Устройство полевого транзистораАнгло-русский словарь по нанотехнологиям > полевой транзистор
-
19 FET
(Field Effect Transistor)Полевой транзистор (ПТ)Полупроводниковый прибор, в котором ток основных носителей, протекающих через канал, управляется электрическим полем. Основа такого транзистора - созданный в полупроводнике и снабжённый двумя выводами (исток и сток) канал с электропроводностью n - или p - типа. Сопротивлением канала управляет третий электрод - затвор, соединённый с его средней частью p - n переходом. В связи с тем, что управление током в выходной цепи осуществляется входным напряжением (аналогично электровакуумным приборам) и входные токи ПТ чрезвычайно малы, параметры и характеристики полевых транзисторов существенно отличаются от характеристик биполярных транзисторов. ПТ обладают рядом преимуществ по сравнению с биполярными: высокое входное сопротивление по постоянному току и на высокой частоте, отсюда и малые потери на управление; высокое быстродействие (благодаря отсутствию накопления и рассасывания неосновных носителей); почти полная электрическая развязка входных и выходных цепей, малая проходная ёмкость (т.к. усилительные свойства ПТ обусловлены переносом основных носителей заряда, верхняя граница эффективного усиления мощных ПТ выше, чем у биполярных, и применение ключевых усилителей на ПТ при тех же напряжениях питания возможно на частотах около 400 мГц, в то время как на биполярных транзисторах разработка ключевых генераторов частотой выше 100 мГц является весьма сложной задачей); квадратичность вольтамперной характеристики (аналогична триоду); высокая температурная стабильность; малый уровень шумов.Устройство полевого транзистора
См. также в других словарях:
ток неосновных носителей — šalutinių krūvininkų srovė statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. minority charge carrier current; minority carrier current vok. Minoritätsträgerstrom, m rus. ток неосновных носителей, m; ток неосновных носителей заряда, m pranc.… … Radioelektronikos terminų žodynas
ток неосновных носителей заряда — šalutinių krūvininkų srovė statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. minority charge carrier current; minority carrier current vok. Minoritätsträgerstrom, m rus. ток неосновных носителей, m; ток неосновных носителей заряда, m pranc.… … Radioelektronikos terminų žodynas
ИНЖЕКЦИЯ носителей — (от лат. injectio вбрасывание), проникновение неравновесных (избыточных) носителей заряда в полупроводник или диэлектрик под действием электрич. поля. Источником избыточных носителей служит контактирующий ПП или металл (см. ЭЛЕКТРОННО ДЫРОЧНЫЙ… … Физическая энциклопедия
ДРЕЙФ НОСИТЕЛЕЙ ЗАРЯДА — упорядоченное движение подвижных носителей заряда в твёрдом теле под действием внеш. полей. Д. н. з. накладывается на их беспорядочное (тепловое) движение, но скорость Д. н. з. vдр обычно мала по сравнению со скоростью теплового движения. Под… … Физическая энциклопедия
ИНЖEКЦИЯ НОСИТЕЛЕЙ ЗАРЯДА — увеличение концентрации носителей заряда в полупроводнике (диэлектрике) в результате переноса носителей током из областей с повыш. концентрацией (металлич. контактов, гетеропереходов )под действием внеш. электрич. поля. И. н. з. приводит к… … Физическая энциклопедия
P — n-переход — (n negative отрицательный, электронный, p positive положительный, дырочный), или электронно дырочный переход разновидность гомопереходов, Зоной p n перехода называется область полупроводника, в которой имеет место… … Википедия
Р — n-переход — p n переход (n negative отрицательный, электронный, p positive положительный, дырочный), или электронно дырочный переход разновидность гомопереходов, область полупроводника, в которой имеет место пространственное изменение типа проводимости … Википедия
Электронно-дырочный переход — p n переход (n negative отрицательный, электронный, p positive положительный, дырочный), или электронно дырочный переход разновидность гомопереходов, область полупроводника, в которой имеет место пространственное изменение типа проводимости … Википедия
Minoritätsträgerstrom — šalutinių krūvininkų srovė statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. minority charge carrier current; minority carrier current vok. Minoritätsträgerstrom, m rus. ток неосновных носителей, m; ток неосновных носителей заряда, m pranc.… … Radioelektronikos terminų žodynas
courant des minoritaires — šalutinių krūvininkų srovė statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. minority charge carrier current; minority carrier current vok. Minoritätsträgerstrom, m rus. ток неосновных носителей, m; ток неосновных носителей заряда, m pranc.… … Radioelektronikos terminų žodynas
minority charge-carrier current — šalutinių krūvininkų srovė statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. minority charge carrier current; minority carrier current vok. Minoritätsträgerstrom, m rus. ток неосновных носителей, m; ток неосновных носителей заряда, m pranc.… … Radioelektronikos terminų žodynas
